富加鎵業

致力于成為全球寬禁帶半導體材料研發的領軍企業

富加鎵業科技有限公司成立于2019年12月，注冊資金851.763萬,坐落于美麗的杭州市富陽區，已獲評國家高新技術企業。公司專注于寬禁帶半導體材料研發，公司核心創始人具有劍橋大學博士等材料領域的深厚背景，團隊成員主要來自業內資深人才，研發人員中碩士以上比例達到80%；公司擁有多臺大尺寸導模法晶體生長爐、多氣氛晶體退火爐、高精密拋光機等儀器設備，為公司的發 ...

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10*10.5氧化鎵襯底片

10*15氧化鎵襯底片

2英寸氧化鎵襯底片

4英寸氧化鎵襯底片

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001面

UID：1×1016~5×1017 cm-3；Sn：≥1×1018 cm-3；Fe：絕緣≥1×1010 Ω·cm 晶面：(001) 雙晶搖擺半高寬：≤150”

010面

Fe：絕緣≥1×1010 Ω·cm 晶面：(010) 雙晶搖擺半高寬：≤350”

100面

摻雜：Sn 導電性：n 晶面：(100) 雙晶搖擺半高寬：≤250”

010面-5mm×5mm

摻雜：Fe 晶面：(010) 雙晶搖擺半高寬：≤350“

新聞中心

NEWS INFORMATION

富加鎵業受邀參加第25屆中國國際光電博覽會（CIOE 2024）及同期活動

9月11-13日，第25屆中國國際光電博覽會（CIOE 2024）在深圳國際會展中心隆重舉辦。作為上海光學精密機械研究所（簡稱上海光機所）的孵化企業，杭州富加鎵業科技有限公司（簡稱富加鎵業）在上海光機所展區與眾多優秀上光系企業一起集中參展。

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致力于成為全球寬禁帶半導體材料研發的領軍企業

001面

010面

100面

100面

010面-5mm×5mm

富加鎵業受邀參加第25屆中國國際光電博覽會（CIOE 2024）及同期活動

富加鎵業突破性進展——國內首次實現坩堝下降法生長3英寸氧化鎵晶體

富加鎵業氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證